SI3447DV-T1-E3 datasheet
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>> SI3447DV-T1-E3 MOSFET 12V 5.2A 2W datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI3447DV-T1-E3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 12V 5.2A 2W
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 12V 5.2A 2W
SI3447DV-T1-E3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
12 V
闸/源击穿电压
+/- 8 V
漏极连续电流
5.2 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.05 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI3447DV-T1-E3
SI3448BDV
SI3448DV
SI3451DV-T1-E3
SI3451DV-T1-GE3
Si3452A-B01-GM
供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129491934(手机优先微信同号)
何芝
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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雷春艳
深圳市奥伟斯科技有限公司
0755-83254770
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0755-82567711
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朱先生/李小姐
集好芯城
0755-83289799
陈先生 13360533550
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
深圳市十德盛科技有限公司
0755-82719071
李先生
SI3447DV-T1-E3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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